UFS 4.0

 
O alta noutate este utilizarea in premiera a memoriei UFS 4.0, la care Samsung lucreaza inca de la inceputul anului trecut. Toate modelele din gama vor utiliza acest tip de memorie, cu exceptia Samsung Galaxy S23 128GB, deoarece Samsung nu produc chip-uri UFS 4.0 de 128GB.

Produsa in litografie pe 5nm in fab-urile Samsung, memoria UFS 4.0 utilizeaza ce-a de-a 7-a generatie V-NAND, pe 176 de layer-e, imbunatatind semnificativ atat vitezele de citire si scriere, cat si eficienta per W fata de standardul anterior, UFS 3.1.

Astfel, daca in cazul memoriei UFS 3.1 aveam de-a face cu viteze de citire de pana la 2100 MB/s si viteze de scriere de pana la 1750 MB/s, memoria UFS 4.0 poate atinge viteze de citire de pana la 4200 MB/s, respectiv viteze de scriere de pana la 2800MB/s.

Mai mult decat atat, memoria UFS 4.0 este cu pana la 46% mai eficienta decat memoria UFS 3.1, reducand consumul de curent, dar si mai eficienta din punct de vedere al spatiului, un chip cu o capacitate de 1TB masurand 13mm lungime, 11mm latime si 1mm grosime.

De asemenea, memoria UFS 4.0 ofera un nivel ridicat de securitate a datelor, gratie tehnologiei Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block).